Pusat pengembangan semikonduktor NRD-K dari Samsung Electronics akan mengimpor peralatan fotolitografi EUV High NA dari ASML ke fasilitas riset dan pengembangan.
Berita 20 November dari Jinshi Data: Samsung Electronics mengadakan upacara serah terima di kompleks pengembangan semikonduktor NRD-K yang terletak di Pusat Taman Kecil. Kompleks pengembangan semikonduktor NRD-K akan menjadi pusat penelitian dan pengembangan inti bersama tiga divisi utama Samsung Electronics DS (memori, Sistem LSI, dan Foundry) yang akan menerima total investasi sekitar 20 triliun won hingga tahun 2030. NRD-K juga akan memiliki jalur khusus penelitian dan pengembangan yang akan mulai beroperasi pada pertengahan tahun 2025. Kompleks NRD-K akan memperkenalkan serangkaian alat produksi semikonduktor terdepan, termasuk mesin lithography ASML High NA EUV dan peralatan deposisi bahan baru, dengan tujuan mempercepat pengembangan chip penyimpanan generasi berikutnya, termasuk DRAM 3D dan V-NAND berlapis k.
Lihat Asli
Konten ini hanya untuk referensi, bukan ajakan atau tawaran. Tidak ada nasihat investasi, pajak, atau hukum yang diberikan. Lihat Penafian untuk pengungkapan risiko lebih lanjut.
Pusat pengembangan semikonduktor NRD-K dari Samsung Electronics akan mengimpor peralatan fotolitografi EUV High NA dari ASML ke fasilitas riset dan pengembangan.
Berita 20 November dari Jinshi Data: Samsung Electronics mengadakan upacara serah terima di kompleks pengembangan semikonduktor NRD-K yang terletak di Pusat Taman Kecil. Kompleks pengembangan semikonduktor NRD-K akan menjadi pusat penelitian dan pengembangan inti bersama tiga divisi utama Samsung Electronics DS (memori, Sistem LSI, dan Foundry) yang akan menerima total investasi sekitar 20 triliun won hingga tahun 2030. NRD-K juga akan memiliki jalur khusus penelitian dan pengembangan yang akan mulai beroperasi pada pertengahan tahun 2025. Kompleks NRD-K akan memperkenalkan serangkaian alat produksi semikonduktor terdepan, termasuk mesin lithography ASML High NA EUV dan peralatan deposisi bahan baru, dengan tujuan mempercepat pengembangan chip penyimpanan generasi berikutnya, termasuk DRAM 3D dan V-NAND berlapis k.